Di recente, abbiamo discusso dei progetti di Samsung per il futuro dei mercati NAND, incluso l’introduzione del flash V-NAND di nona generazione, che presenterà ben 290 strati sovrapposti uno sull’altro, definendo un nuovo punto di riferimento del mercato. È interessante osservare che il gigante coreano ha anche presentato un prodotto NAND con uno straordinario stacking a 430 strati (V-NAND di decima generazione) che dovrebbe essere rilasciato il prossimo anno. Con tali dispositivi a bordo, Samsung Electronics prevede di oltrepassare il traguardo dei 1000 TB il prima possibile, ma c’è un altro elemento entusiasmante.
L’obiettivo di un SSD da petabyte non sembra lontano poiché i ricercatori mostrano una nuova soluzione che potrebbe assistere aziende come Samsung a raggiungere la tecnologia NAND a 1000 strati.
I progetti di Samsung Electronics di raggiungere un obiettivo di archiviazione di “petabyte” sembravano fantasiosi qualche tempo fa, ma l’azienda sta ora considerando l’utilizzo di nuovi materiali “ferroelettrici” per raggiungere l’obiettivo potenzialmente con oltre 1000 strati di tecnologia NAND.
Negli ultimi tempi, questi materiali hanno stimolato un enorme interesse, soprattutto nel settore informatico, poiché le loro proprietà ferroelettriche potrebbero abilitare lo sviluppo di condensatori e dispositivi di memoria più compatti ed efficienti. Al VLSI Technology Symposium di Honolulu, i ricercatori del Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) dovrebbero esporre le loro scoperte sugli Hafnia Ferroelectrics, una classe di materiali che manifestano ferroelettricità in determinate condizioni.
In-depth Analysis of the Hafnia Ferroelectrics as a Key Enabler for Low Voltage & QLC 3D VNAND Beyond 1K Layer Experimental Demonstration and Modeling
In this work, we experimentally demonstrate a remarkable performance improvement, boosted by the interaction of charge trapping & ferroelectric (FE) switching effects in metal-band engineered gate interlayer (BE-G.IL)-FE-channel interlayer (Ch.IL)-Si (MIFIS) FeFET. The MIFIS with BE-G.IL (BE-MIFIS) facilitates the maximized ‘positive feedback’ (Posi. FB.) of dual effects, leading to low operation voltage (VPGM/VERS: +17/-15 V), a wide memory window (MW: 10.5 V) and negligible disturb at a biased voltage of 9 V.
Furthermore, our proposed model verifies that the performance enhancement of the BE-MIFIS FeFET is attributed to the intensified posi. FB. This work proves that the hafnia FE can play as a key enabler in extending the technology development of 3D VNAND, which is currently approaching a state of stagnation.
– VLSI Technology Symposium
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